TK8A60W,S4VX

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220-3 整包
数量:
 126  
说明:
 MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:70 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:30 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:18.5 nC
下降时间:5.5 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220SIS
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.42 Ohms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

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