点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：120 ns
上升时间：33 ns
功率耗散：255 W
栅极电荷 Qg：130 nC
下降时间：37 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.6 mOhms
漏极连续电流：179 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba
以上是TK72E12N1,S1X的详细信息，包括TK72E12N1,S1X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
