TK3R1E04PL,S1X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220
数量：: 3195
说明：: MOSFET N-CH 40V 100A TO220

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TK3R1E04PL,S1X PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：87W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4670 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63.4 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 30A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSIX-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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