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TK09H90A(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P(W)
数量：
 333  
说明：
 MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
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TK09H90A(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：20
上升时间：25 ns
功率耗散：150 W
下降时间：20 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P(W)
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK09H90A(Q)的详细信息，包括TK09H90A(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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