TJ50S06M3L,LXHQ

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: DPAK+
数量：: 3636
说明：: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK

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TJ50S06M3L,LXHQ PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6290 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：+10V，-20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：124 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.8 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVI
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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