TISP61089BDR-S

厂家：: Bourns
封装：: 8-SOIC
数量：: 27069
说明：: SCR Dual P Gate Forward Conducting

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TISP61089BDR-S PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
保持电流（Ih 最大值）：150 mA
栅触发电流 (Igt)：5 mA
栅触发电压 (Vgt)：2.5 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V
最大转折电流 IBO：6.5 A
RoHS：是
产品种类：SCR
制造商：Bourns

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