TISP61089D

厂家:
  Bourns
封装:
 SOIC-8
数量:
 5445  
说明:
 SCR Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61089D PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:75
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
保持电流(Ih 最大值):150 mA
栅触发电流 (Igt):5 mA
栅触发电压 (Vgt):2.5 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.005 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM:100 V
最大转折电流 IBO:11 A
RoHS:否
产品种类:SCR
制造商:Bourns

以上是TISP61089D的详细信息,包括TISP61089D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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