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中文参数如下：
工厂包装数量：30
最小工作温度：- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：1000
集电极连续电流：10 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：125 W
最大集电极截止电流：1000 uA
最大直流电集电极电流：10 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：ON Semiconductor
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