中文参数如下:
直流集电极/Base Gain hfe Min:1000
包装形式:Rail
封装形式:TO-3PF
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
最大集电极截止电流:1000 uA
最大直流电集电极电流:10 A
集电极—基极电压 VCBO:80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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