SUP90N10-8M8P-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263
数量：: 3861
说明：: MOSFET 100V 90A 300W

一、本商品被浏览0次.

SUP90N10-8M8P-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：34 ns
工厂包装数量：500
上升时间：17 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0088 Ohms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP90N10-8M8P-E3的详细信息，包括SUP90N10-8M8P-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：