SUP90N08-6M8P-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 3834
说明：: MOSFET 75V 90A 272W 6.8mohm @ 10V

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SUP90N08-6M8P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：24 ns
工厂包装数量：500
上升时间：11 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0068 Ohms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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