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中文参数如下:
工厂包装数量:100
功率耗散:3.7 W
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0075 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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