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SUD42N03-3M9P-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252AA
数量：
 792  
说明：
 MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
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SUD42N03-3M9P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：73.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：67 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：110 S
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0032 Ohms
漏极连续电流：107 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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