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SUD35N10-26P-T4GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252AA
数量：
 2538  
说明：
 MOSFET N-CH D-S 100V TO252
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SUD35N10-26P-T4GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2000pF @ 12V
功率 - 最大：83W
安装类型：表面贴装

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