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SUD35N10-26P-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 8008
说明：: MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

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SUD35N10-26P-GE3-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

SUD35N10-26P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：8.3 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：26 mOhms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD35N10-26P-GE3的详细信息，包括SUD35N10-26P-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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