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SUD08P06-155L-T4E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 2358  
说明：
 MOSFET P-CH 20V 8.4A TO252
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SUD08P06-155L-T4E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：155 毫欧 @ 5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：450pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装

以上是SUD08P06-155L-T4E3的详细信息，包括SUD08P06-155L-T4E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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