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SUD09P10-195-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 32321  
说明：
 MOSFET P-CH 100V DPAK
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SUD09P10-195-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：195 毫欧 @ 3.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：34.8nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1055pF @ 50V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装

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