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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:283 ns
上升时间:218 ns
功率耗散:450 W
栅极电荷 Qg:338 nC
下降时间:250 ns
包装形式:Tube
封装形式:Max247
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 mOhms
漏极连续电流:130 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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