STW8NB80

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247
数量：: 5670
说明：: MOSFET N-Ch 800 Volt 8 Amp

一、本商品被浏览0次.

STW8NB80 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：30
上升时间：10 ns
功率耗散：170 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.6 Ohms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STW8NB80的详细信息，包括STW8NB80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：