STW8NB100

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 2997
说明：: MOSFET RO 511-STW11NK100Z

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STW8NB100 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
上升时间：13 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：32 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 Ohms
漏极连续电流：7.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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