中文参数如下:
工厂包装数量:30
上升时间:75 ns
功率耗散:180 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:35 ns
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
以上是STW50N10的详细信息,包括STW50N10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!