点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:50 ns
上升时间:8 ns
功率耗散:140 W
栅极电荷 Qg:64 nC
下降时间:10 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.139 Ohms
漏极连续电流:22 A
闸/源击穿电压:3 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STW30N65M5的详细信息,包括STW30N65M5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!