STW21NM60N

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-247-3
数量:
 2232  
说明:
 MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
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STW21NM60N PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:84 ns
工厂包装数量:30
上升时间:15 ns
功率耗散:140 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :12 S
下降时间:31 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.19 Ohms
漏极连续电流:17 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STW21NM60N的详细信息,包括STW21NM60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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