中文参数如下:
工厂包装数量:30
上升时间:14 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:15 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.26 Ohms
漏极连续电流:18.4 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:400 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STW18NB40的详细信息,包括STW18NB40厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!