STW11NM80

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-247-3
数量:
 1836  
说明:
 MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STW11NM80-TO-247-3图片

STW11NM80 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:46 ns
工厂包装数量:30
上升时间:17 ns
功率耗散:150 W
最小工作温度:- 65 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 S
下降时间:15 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STW11NM80的详细信息,包括STW11NM80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    STW12NA50

    MOSFET REORD 511-STW14NB50 TO-247 N-CH 12A 500V

  • 暂无电子元件图

    STW12NA60

    MOSFET REORD 511-STW13NB60 TO-247 N-CH 500V

  • STW13009图片

    STW13009

    两极晶体管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS

  • STW13N95K3图片

    STW13N95K3

    MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC