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中文参数如下： 典型关闭延迟时间：100 ns 工厂包装数量：600 上升时间：380 ns 功率耗散：210 W 最小工作温度：- 65 C 下降时间：150 ns 包装形式：Reel 封装形式：PowerSO-12 安装风格：SMD/SMT 最大工作温度：+ 175 C 配置：Single Common Nine Source 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0021 Ohms 漏极连续电流：160 A 闸/源击穿电压：+/- 15 V 汲极/源极击穿电压：30 V 晶体管极性：N-Channel RoHS：是 产品种类：MOSFET 制造商：STMicroelectronics
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