首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STS4DPF30L

STS4DPF30L

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SOIC
数量：: 3951
说明：: MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp

一、本商品被浏览0次.

STS4DPF30L PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：125 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：35 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS4DPF30L的详细信息，包括STS4DPF30L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：