STS3DPF60L

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 8-SOIC
数量:
 3735  
说明:
 MOSFET Dual P-Ch 60 Volt 3A
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STS3DPF60L-8-SOIC图片

STS3DPF60L PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:39 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:54 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.2 S
下降时间:14.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.12 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STS3DPF60L的详细信息,包括STS3DPF60L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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