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STQ1NK80ZR-AP

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
数量：
 6251  
说明：
 MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
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STQ1NK80ZR-AP-TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线图片

STQ1NK80ZR-AP PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：30 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：55 ns
包装形式：Ammo
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 Ohms
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STQ1NK80ZR-AP的详细信息，包括STQ1NK80ZR-AP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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