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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:23.5 ns
上升时间:8.5 ns
功率耗散:2.5 W
栅极电荷 Qg:12 nC
下降时间:21 ns
包装形式:Ammo
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms
漏极连续电流:0.6 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics
以上是STQ2LN60K3-AP的详细信息,包括STQ2LN60K3-AP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!