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STP9NB50

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 7578  
说明：
 MOSFET RO 512-FQP9N50
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STP9NB50 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：11 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：11 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.85 Ohms
漏极连续电流：8.6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STP9NB50的详细信息，包括STP9NB50厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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