STP8NM60

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 6174
说明：: MOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp

一、本商品被浏览0次.

STP8NM60 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：50
上升时间：10 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.4 S
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP8NM60的详细信息，包括STP8NM60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：