点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:48 ns
工厂包装数量:50
上升时间:30 ns
功率耗散:140 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.2 S
下降时间:28 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 Ohms
漏极连续电流:6.2 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP8NK80Z的详细信息,包括STP8NK80Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!