中文参数如下:
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:200 ns
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:40 ns
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.015 Ohms
漏极连续电流:36 A
闸/源击穿电压:+/- 18 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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