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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:111 ns
上升时间:53.4 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:80.4 nC
下降时间:61.8 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms
漏极连续电流:29 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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