STP20NE06

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 1944
说明：: MOSFET RO 511-STP36NF06

一、本商品被浏览0次.

STP20NE06 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：45 ns
功率耗散：70 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STP20NE06的详细信息，包括STP20NE06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：