STP20N65M5

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220-3
数量:
 7488  
说明:
 MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
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STP20N65M5 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:7.5 ns
功率耗散:130 W
栅极电荷 Qg:36 nC
下降时间:7.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.19 Ohms
漏极连续电流:18 A, 72 A
闸/源击穿电压:650 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

以上是STP20N65M5的详细信息,包括STP20N65M5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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