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STP20N65M5

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220-3
数量：
 7488  
说明：
 MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
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STP20N65M5-TO-220-3图片

STP20N65M5 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：7.5 ns
功率耗散：130 W
栅极电荷 Qg：36 nC
下降时间：7.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：18 A, 72 A
闸/源击穿电压：650 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STP20N65M5的详细信息，包括STP20N65M5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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