首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STN4NF06L

STN4NF06L

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 SOT-223
数量：
 1602  
说明：
 MOSFET N-CH 60V 4A STripFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STN4NF06L-SOT-223图片

STN4NF06L PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：25 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STN4NF06L的详细信息，包括STN4NF06L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • STD10NF30
  • SQJ407EP-T1_GE3
  • TPH2R506PL,L1Q
  • IPP120N06S4H1AKSA2
  • AOTF22N50
  • AOTF20N60
  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3
  • IPD35N12S3L24ATMA1

    • 相近型号推荐

    • STN4NF20L图片

      STN4NF20L

      MOSFET N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II

    • STN690A图片

      STN690A

      两极晶体管 - BJT Medium current Hi perform Lo Vltg NPN

    • STN715图片

      STN715

      两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

    • STN715T4图片

      STN715T4

      两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

    • STN724图片

      STN724

      两极晶体管 - BJT NPN TRANSISTOR

    • STN749图片

      STN749

      两极晶体管 - BJT LED SINK DRIVER

    • STN790A图片

      STN790A

      两极晶体管 - BJT POWER MOSFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC