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中文参数如下:
:
封装封装/外壳:8-PowerVDFN
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:57.7W(Tc)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):380pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.9nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27 毫欧 @ 5A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
漏源电压(Vdss):60V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(双)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
系列:卷带(TR)
品牌:STMicroelectronics
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