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中文参数如下:
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封装封装/外壳:8-PowerVDFN
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:62.5W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):864pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.5nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.7A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A
漏源电压(Vdss):100V
FET 功能:逻辑电平门
配置:2 个 P 沟道(双)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:DeepGATE?, STripFET? VI
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:STMicroelectronics
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