STL110NS3LLH7

厂家：: STMicroelectronics
封装：: PowerFlat?（5x6）
数量：: 2590
说明：: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：4W（Ta），75W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2110 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.7 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 14A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：STripFET? H7
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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