STI12N65M5

厂家：: STMicroelectronics
封装：: I2PAK
数量：: 3987
说明：: MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh

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STI12N65M5 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：17.6 ns
功率耗散：70 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
下降时间：15.6 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：430 mOhms
漏极连续电流：8.5 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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