STGSB200M65DF2AG

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 9-ACEPACK SMIT
数量：: 8109
说明：: DISCRETE

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STGSB200M65DF2AG PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：9-PowerSMD
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：174.5 ns
测试条件：400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
25°C 时 Td（开/关）值：122ns/250ns
栅极电荷：554 nC
输入类型：标准
开关能量：3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
功率 - 最大值：714 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，200A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：700 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：216 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：散装
品牌：STMicroelectronics

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