STGW10M65DF2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 7137
说明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

一、本商品被浏览0次.

STGW10M65DF2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：96 ns
测试条件：400V，10A，22 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/91ns
栅极电荷：28 nC
输入类型：标准
开关能量：120μJ（开），270μJ（关）
功率 - 最大值：115 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGW10M65DF2的详细信息，包括STGW10M65DF2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：