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STGB3NB60FDT4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 D2PAK
数量：
 6282  
说明：
 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A
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STGB3NB60FDT4-D2PAK图片

STGB3NB60FDT4 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：6 A
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：68 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：3 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB3NB60FDT4的详细信息，包括STGB3NB60FDT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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