![PDF](/static/img/pdf.gif)
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
功率耗散:176 W
栅极—射极漏泄电流:625 uA
在25 C的连续集电极电流:40 A
栅极/发射极最大电压:16 V
集电极—射极饱和电压:1.15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:345 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:STMicroelectronics
以上是STGB35N35LZT4的详细信息,包括STGB35N35LZT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!