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STGB35N35LZT4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 6255  
说明：
 IGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT
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STGB35N35LZT4-D2PAK（TO-263）图片

STGB35N35LZT4 PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
功率耗散：176 W
栅极—射极漏泄电流：625 uA
在25 C的连续集电极电流：40 A
栅极/发射极最大电压：16 V
集电极—射极饱和电压：1.15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：345 V
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB35N35LZT4的详细信息，包括STGB35N35LZT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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