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中文参数如下:
功率耗散:25 W
包装形式:Tube
封装形式:I2PAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.36 Ohms
漏极连续电流:11 A
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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