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STF26NM60N-H

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220FP
数量：
 1179  
说明：
 MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
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STF26NM60N-H PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：85 ns
上升时间：25 ns
功率耗散：30 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：60 nC
下降时间：50 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220FP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：135 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STF26NM60N-H的详细信息，包括STF26NM60N-H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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