STF26NM60N-H

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220FP
数量:
 1179  
说明:
 MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
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STF26NM60N-H PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:85 ns
上升时间:25 ns
功率耗散:30 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:60 nC
下降时间:50 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220FP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):135 mOhms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STF26NM60N-H的详细信息,包括STF26NM60N-H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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