点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:44 ns
上升时间:14 ns
功率耗散:35 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:42 nC
下降时间:35 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220FP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):765 mOhms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STF11N65K3的详细信息,包括STF11N65K3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!