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STD6N65M2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 4023
说明：: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：226 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.8 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.35 欧姆 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：MDmesh?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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